pocket implant
2021年1月16日—ThisisknownaspocketimplantationandthenewdevicestructurethusobtainediscalledpocketimplantedMOSFET....pocketimplantMOSFET.will ...,Abstract:Pocketimplantiswidelyusedindeep-sub-micronCMOStechnologiestocombatshortchanneleffects.It,howev...
金氧半電晶體中通道不均勻由RTN 引發電流擾動效應
- photo spacer製程
- imd半導體
- 短通道效應影響
- 側壁空間層
- rpo製程
- 短通道效應缺點
- gidl原理
- 半導體製程順序
- 半導體心得
- ldd半導體
- 側壁空間層
- halo implant作用
- NAPT 半導體
- pocket implant
- LDD 半導體
- halo implant作用
- corner rounding半導體
- 短通道效應缺點
- ild半導體
- SRO 半導體
- poly半導體
- sidewall spacer用途
- usg半導體
- ild半導體
- sidewall spacer用途
由薛至宸著作·2005—ByusingSONOSchannelhotelectronprogramming,weconfirmthatpocketimplantindeedhasinfluenceonRTNnoise.LengtheffectonpMOSFETsisstudiedinthis ...
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